Skipta aflgjafa draga orkugeymslu frá úttaksþéttum
Á skýringarmynd spennuhleðslusambandsins er þétturinn táknaður með ská línu og orkan sem geymd er í þéttinum er svæðið sem er fyrir neðan þessa línu. Þrátt fyrir að úttaksrýmd afl MOSFETs sé ólínuleg og breytileg eftir breytingum á spennu frárennslisgjafa, þá er orkugeymslan í úttaksrýmdinni enn svæðið sem ólínulegt rýmd inniheldur án nettengingar. Þess vegna, ef við getum fundið beina línu sem gefur sama flatarmál og úttaksrýmdferillinn sem sýndur er á mynd 1, þá er halli línunnar nákvæmlega jafngild úttaksrýmd sem framleiðir sömu orkugeymslu.
Fyrir suma gamaldags -planar tækni MOSFET geta hönnuðir notað ferilpassun til að finna jafngilda úttaksrýmd út frá úttaksrýmdargildum í gagnatöflunni við venjulega tilgreinda 25V frárennslisgjafaspennu.
Mynd 2 sýnir mæld gildi úttaksrýmdarinnar og búnaðarferilsins sem fæst með formúlu (3). Í samanburði við gamaldags MOSFET tækni sem sýnd er á mynd 2 (a), er árangur hennar góður. Hins vegar, fyrir MOSFETs með ólínulegri úttaksrýmdareiginleika sem nota nýja tækni eins og super junction tækni, er einföld veldisvísisferilfesting stundum ekki nógu góð. Mynd 2 (b) sýnir mælda úttaksrýmd nýju tækninnar MOSFET og innbyggða ferilinn sem fæst með formúlu (3). Fyrir jafngilt úttaksrýmd getur bilið á milli tveggja á háspennusvæðinu valdið miklum mun, því í samþættingarformúlunni er spennan margfölduð með rýmdinni. Matið á mynd 2 (b) mun leiða til mun stærri jafngilda rýmd, sem getur villt upphafshönnun breytisins.
Ef úttaksrýmd er breytileg eftir spennu frárennslisgjafa er hægt að reikna út orkugeymsluna í úttaksrýmdinni með formúlu (4). Þrátt fyrir að rýmdarferillinn sé sýndur í gagnatöflunni er ekki auðvelt að lesa rýmdargildið úr töflunni. Þess vegna, miðað við frárennslisspennu, er orkugeymslan í úttaksþéttanum gefin upp með töflunni í * nýju afl MOSFET gagnatöflunni. Með því að nota ferilinn sem sýndur er á mynd 3 og formúlu (5) er hægt að fá jafngilda úttaksrýmd við æskilega jafnstraums (DC) strætóspennu.
